zoom_out_map
chevron_left chevron_right

دیود لیزر 658 نانومتر 200 میلی‌وات

  ML101J29-G

دیود لیزر 658 نانومتر 200 میلی‌وات با قابلیت افزایش بیشینه توان خروجی و کاهش جریان عملیاتی.


10٬800٬000 ریال (No tax) 0,0,000‎ریال (No tax)
اتمام موجودی

معرفی

ML101J25-G یک لیزر نیمه‌هادی AlGaInP پرقدرت و کارآمد است. این لیزر نیمه‌هادی، که یک مد پایدار و منفرد را فراهم می‌کند، یک نوسان حالت عرضی پایدار و تک حالت با طول موج انتشار 658 نانومتر و خروجی نور پالس استاندارد 350 میلی‌وات را نیز ایجاد می‌کند.

مشخصات

  • توان خروجی پیوسته نور : - ,200 mW,-
  • توان خروجی پالسی نور : - ,350 mW,-
  • جریان آستانه : 80 mA
  • ولتاژ کاری : - -2٫4 V-3 V
  • طول موج مرکزی : 658 nm
  • پکیج : TO-18 (5.6mm)

برگه اطلاعات فنی  

Technical Information  Laser Diode 658nm 200mW
Parameter Min Typ. Max
Central Wavelength 654 nm 658 nm 662 nm
Operating Temperature ‎−10 °C - 75 °C
Storage Temperature ‎−40 °C - 100 °C
Beam Divergence Angle - (Parallel) 7 ° 9٫5 ° 12 °
Beam Divergence Angle - (Perpendicular) 14 ° 17 ° 20 °
CW Light Output Power - 200 mW -
Maximum (LD) Reverse Voltage - 2 V -
Operating Current - 280 mA -
Operating Voltage - 2٫4 V 3 V
Package TO-18 (5.6mm)
Pulsed Light Output Power - 350 mW -
Slope Efficiency - 0٫95 mW/mA -
Threshold Current - 80 mA -

7 محصولات مرتبط
ویرایش نظر
  یا لغو