zoom_out_map
chevron_left chevron_right

دیود لیزر 660 نانومتر 100 میلی‌وات FPP

  GH16P32B8C
دیود لیزر 660 نانومتر 100 میلی‌وات ساخت شرکت SHARP با جریان عملیاتی 120 میلی‌آمپر و ولتاژ کاری 2.3 ولت.

1,560,000 ریال (No tax) 0,0,000‎ریال (No tax)
اتمام موجودی

معرفی

دیود لیزر 660 نانومتر 100 میلی‌وات با بدنه استوانه‌ای و دمای عملیاتی 10- ~ 70 درجه‌سانتی‌گراد که توسط شرکت SHARP تولید شده دارای پهنای باند مدولاسیون بالا، قابلیت اطمینان بالا و عمر طولانی است. از جمله کاربردهای این دیود می‌توان به ماژول‌های لیزری با توان بالا، کاربردهای پزشکی و درایوهای دیسک نوری با چگالی بالا و قابل حمل اشاره کرد. این دیود لیزر با طول موج مرکزی 660 نانومتر و توان خروجی 100 میلی‌وات دارای جریان آستانه 42 میلی‌آمپر و جریان کاری 120 میلی‌آمپر است. ولتاژ کاری این دیود لیزر 2.3 ولت است.همچنین این دیود یک منبع ایده‌آل برای دستگاه‌های ذخیره‌سازی نوری است.

مشخصات

  • توان خروجی پیوسته نور : - ,100 mW,-
  • جریان آستانه : 42 mA
  • جریان کاری : 120 mA
  • ولتاژ کاری : 2.3 V
  • طول موج مرکزی : 661 nm
  • زاویه واگرایی افقی پرتو (∥) : 9.3 °
  • زاویه واگرایی عمودی پرتو (⊥) : 15 °
  • پکیج : FPP

برگه اطلاعات فنی  

Technical Information  Laser Diode 660nm 100mW FPP
Parameter Min Typ. Max
Central Wavelength 652 nm 661 nm 666 nm
Operating Temperature ‎−10 °C - 70 °C
Storage Temperature ‎−40 °C - 85 °C
Beam Divergence Angle - (Parallel) 8 ° 9.3 ° 11 °
Beam Divergence Angle - (Perpendicular) 13.5 ° 15 ° 19 °
CW Light Output Power - 100 mW -
Differential Efficiency 0.8 mW/mA 1.16 mW/mA -
Maximum (LD) Reverse Voltage - 2 V -
Operating Current - 120 mA 165 mA
Operating Voltage - 2.3 V 3.2 V
Package FPP
Soldering Temperature - 350 °C -
Threshold Current - 42 mA 70 mA

4 محصولات مرتبط
ویرایش نظر
  یا لغو