PIN فوتودیود GaAs با سطح حساس 60um و فرکانس قطع 10Gbps دارای لنز کروی
معرفی
فوتودیودهای InGaAs نوعی فوتودیود نیمههادی هستند که از ماده مرکب ایندیوم گالیم آرسناید (InₓGa₁₋ₓAs) ساخته میشوند. این ماده ترکیبی برای تشخیص نور در محدوده نزدیک مادونقرمز (NIR) بسیار مناسب است و پاسخدهی بالاتری نسبت به سیلیکون در طولموجهای بلندتر ارائه میدهد. PIN فوتودیود فوق سریع InGaAs مناسب محدوده طیفی 1750-600 نانومتر بوده و دارای سطح حساس 1mm و بیشینه فرکانس کاری 2Gbps است. زمان پاسخدهی این فوتودیود کمتر از 0.5 نانوثانیه است. همچنین این فوتودیود دارای جریان تاریک 2 میکروآمپر در ولتاژ شکست 1 ولت است.
مشخصات

|

Technical Information 1mm 2Gbps Analog High Speed InGaAs PIN Photodiode |
|||
|---|---|---|---|
| Parameter | Min | Typ. | Max |
| Operating Temperature | −40 °C | - | 85 °C |
| Storage Temperature | −40 °C | - | 125 °C |
| Dark Current | @1 V 2 uA | ||
| Maximum (LD) Reverse Voltage | 3 V | - | - |
| Package | TO-46 | ||
| Response Time | 0.2 ns | ||
| Single Ended Responsivity | - | 0.7 A/W | - |
| Spectral Range | 600 nm | - | 1750 nm |