معرفی
فوتودیودهای GaAs نوعی فوتودیود نیمههادی هستند که از ماده گالیم آرسناید ساخته میشوند. این ماده ترکیبی برای تشخیص نور در محدوده نزدیک مادونقرمز (NIR) بسیار مناسب است و پاسخدهی بالاتری نسبت به سیلیکون در طولموجهای بلندتر ارائه میدهد. PIN فوتودیود GaAs مناسب محدوده طیفی 880-500 نانومتر با سطح حساس 60um و فرکانس قطع 10Gbps دارای لنز کروی است. این فوتودیود دارای جریان تاریک 0.1 پیکوآمپر در ولتاژ شکست 0 ولت و 0.5 پیکوآمپر در ولتاژ شکست 5 ولت است.
مشخصات
- جریان تاریک : @5 V 0٫5 pA
- پکیج : TO-46
- زمان پاسخدهی : 40 ps
- محدودهی طیفی : - 500 nm 880 nm
![]() |
Technical Information Ball Lens 60um 10Gbps Analog GaAs PIN Photodiode |
|||
---|---|---|---|
Parameter | Min | Typ. | Max |
Operating Temperature | −40 °C | - | 85 °C |
Storage Temperature | −40 °C | - | 100 °C |
Dark Current | @5 V 0٫5 pA | ||
Maximum (LD) Reverse Voltage | - | - | 10 V |
Package | TO-46 | ||
Response Time | 40 ps | ||
Soldering Temperature | - | 260 °C | - |
ُSpectral Range | 500 nm | - | 880 nm |