zoom_out_map
chevron_left chevron_right

PIN فوتودیود GaAs با سطح حساس 60um و فرکانس قطع 10Gbps دارای لنز کروی

  LSGSPD-10G-5P-S1

PIN فوتودیود GaAs مناسب محدوده طیفی 880-500 نانومتر با سطح حساس 60um و فرکانس قطع 10Gbps دارای لنز کروی


137٬000٬000 ریال (No tax) 0,0,000‎ریال (No tax)
اتمام موجودی

معرفی

فوتودیودهای GaAs نوعی فوتودیود نیمه‌هادی هستند که از ماده گالیم آرسناید ساخته می‌شوند. این ماده ترکیبی برای تشخیص نور در محدوده نزدیک مادون‌قرمز (NIR) بسیار مناسب است و پاسخ‌دهی بالاتری نسبت به سیلیکون در طول‌موج‌های بلندتر ارائه می‌دهد. PIN فوتودیود GaAs مناسب محدوده طیفی 880-500 نانومتر با سطح حساس 60um و فرکانس قطع 10Gbps دارای لنز کروی است. این فوتودیود دارای جریان تاریک 0.1 پیکوآمپر در ولتاژ شکست 0 ولت و 0.5 پیکوآمپر در ولتاژ شکست 5 ولت است.

مشخصات

  • جریان تاریک : @5 V 0٫5 pA
  • پکیج : TO-46
  • زمان پاسخ‌دهی : 40 ps
  • محدوده‌ی طیفی : - 500 nm 880 nm

برگه اطلاعات فنی  

Technical Information  Ball Lens 60um 10Gbps Analog GaAs PIN Photodiode

Parameter Min Typ. Max
Operating Temperature ‎−40 °C - 85 °C
Storage Temperature ‎−40 °C - 100 °C
Dark Current @5 V 0٫5 pA
Maximum (LD) Reverse Voltage - - 10 V
Package TO-46
Response Time 40 ps
Soldering Temperature - 260 °C -
ُSpectral Range 500 nm - 880 nm

ویرایش نظر
  یا لغو