zoom_out_map
chevron_left chevron_right

PIN فوتودیود InGaAs با سطح حساس 0.35x0.35mm² و فرکانس قطع 35MHz

  PD1450-35T52

PIN فوتودیود InGaAs مناسب محدوده طیفی 1600-1000 نانومتر با سطح حساس 0.35x0.35mm² و فرکانس قطع 35MHz


26,900,000 ریال (No tax) 0,0,000‎ریال (No tax)
اتمام موجودی

معرفی

فوتودیودهای InGaAs نوعی فوتودیود نیمه‌هادی هستند که از ماده مرکب ایندیوم گالیم آرسناید (InₓGa₁₋ₓAs) ساخته می‌شوند. این ماده ترکیبی برای تشخیص نور در محدوده نزدیک مادون‌قرمز (NIR) بسیار مناسب است و پاسخ‌دهی بالاتری نسبت به سیلیکون در طول‌موج‌های بلندتر ارائه می‌دهد.

PIN فوتودیود InGaAs مناسب محدوده طیفی 1600-1000 نانومتر با سطح حساس 0.35x0.35mm² و فرکانس قطع 35MHz است. این فوتودیود دارای بیشینه جریان تاریک 100 نانوآمپر در ولتاژ شکست 1 ولت است.

مشخصات

  • جریان تاریک : @1 V 100 nA
  • پکیج : TO-18 (5.6mm)
  • زمان افت : 5 ns
  • زمان خیز : 10 ns
  • محدوده‌ی طیفی : - 1000 nm 1600 nm

برگه اطلاعات فنی  

Technical Information  35MHz 0.35x0.35mm² Active Area InGaAs PIN Photodiode
Parameter Min Typ. Max
Operating Temperature ‎−20 °C - 90 °C
Storage Temperature ‎−30 °C - 100 °C
Dark Current @1 V 100 nA
Fall Time 5 ns
Maximum (LD) Reverse Voltage - - 10 V
Package TO-18 (5.6mm)
Rise Time 10 ns
Soldering Temperature - 260 °C -
Spectral Range 1000 nm - 1600 nm

3 محصول مشابه
ویرایش نظر
  یا لغو