معرفی
فوتودیودهای InGaAs نوعی فوتودیود نیمههادی هستند که از ماده مرکب ایندیوم گالیم آرسناید (InₓGa₁₋ₓAs) ساخته میشوند. این ماده ترکیبی برای تشخیص نور در محدوده نزدیک مادونقرمز (NIR) بسیار مناسب است و پاسخدهی بالاتری نسبت به سیلیکون در طولموجهای بلندتر ارائه میدهد. PIN فوتودیود InGaAs مناسب محدوده طیفی 1700-800 نانومتر با سطح حساس 75um و فرکانس قطع 2.5GHz دارای لنز کروی و کانکتور FC است. این فوتودیود دارای جریان تاریک 0.2 پیکوآمپر در ولتاژ شکست 0 ولت و 30 پیکوآمپر در ولتاژ شکست 5 ولت است.
مشخصات
- جریان تاریک : @5 V 30 pA
- پکیج : TO-46
- زمان پاسخدهی : 140 ps
- محدودهی طیفی : - 800 nm 1700 nm
![]() |
Technical Information Ball Lens 75um 2.5GHz Analog InGaAs PIN Photodiode with FC connector |
|||
---|---|---|---|
Parameter | Min | Typ. | Max |
Operating Temperature | −40 °C | - | 85 °C |
Storage Temperature | −40 °C | - | 100 °C |
Dark Current | @5 V 30 pA | ||
Maximum (LD) Reverse Voltage | - | - | 20 V |
Package | TO-46 | ||
Response Time | 140 ps | ||
Soldering Temperature | - | 260 °C | - |
ُSpectral Range | 800 nm | - | 1700 nm |