فوتودیود InGaAs محدوده‌ی 800 تا 1700 نانومتر

فوتودیود InGaAs محدوده‌ی 800 تا 1700 نانومتر

5 کالا

فوتودیودهای InGaAs نوعی فوتودیود نیمه‌هادی هستند که از ماده مرکب ایندیوم گالیم آرسناید (InₓGa₁₋ₓAs) ساخته می‌شوند. این ماده ترکیبی برای تشخیص نور در محدوده نزدیک مادون‌قرمز (NIR) بسیار مناسب است و پاسخ‌دهی بالاتری نسبت به سیلیکون در طول‌موج‌های بلندتر ارائه می‌دهد. ویژگی‌های کلیدی: حساسیت بالا در محدوده‌ی 800 تا 1700 نانومتر، پاسخ‌دهی سریع (مناسب برای سیستم‌های با فرکانس بالا)، نویز پایین و نسبت سیگنال به نویز بالا، دمای عملکرد بالا با مدیریت حرارتی مناسب، نسبت به فوتودیودهای سیلیکونی گران‌تر است،