خانه
chevron_left
chevron_right
PIN فوتودیود InGaAs با سطح حساس 40um و فرکانس قطع 6GHz
LSIPD-A40-B-0
PIN فوتودیود InGaAs مناسب محدوده طیفی 1700-800 نانومتر با سطح حساس 40um و فرکانس قطع 6GHz دارای جریان تاریک کم
معرفی
فوتودیودهای InGaAs نوعی فوتودیود نیمه‌هادی هستند که از ماده مرکب ایندیوم گالیم آرسناید (InₓGa₁₋ₓAs) ساخته می‌شوند. این ماده ترکیبی برای تشخیص نور در محدوده نزدیک مادون‌قرمز (NIR) بسیار مناسب است و پاسخ‌دهی بالاتری نسبت به سیلیکون در طول‌موج‌های بلندتر ارائه می‌دهد. PIN فوتودیود InGaAs مناسب محدوده طیفی 1700-800 نانومتر با سطح حساس 40um و فرکانس قطع 6GHz. این فوتودیود دارای جریان تاریک 15 پیکوآمپر در ولتاژ شکست 5 ولت است.
مشخصات
- پکیج : TO-46
- محدوده‌ی طیفی : - 800 nm 1700 nm
- جریان تاریک : @5 V 20 pA
- زمان پاسخ‌دهی : 60 ps
|
Technical Information 40um 6GHz Analog InGaAs PIN Photodiode |
|||
|---|---|---|---|
| Parameter | Min | Typ. | Max |
| Operating Temperature | −40 °C | - | 85 °C |
| Storage Temperature | −40 °C | - | 100 °C |
| Dark Current | @5 V 20 pA | ||
| Maximum (LD) Reverse Voltage | - | - | 10 V |
| Package | TO-46 | ||
| Response Time | 60 ps | ||
| Soldering Temperature | - | 260 °C | - |
| ُSpectral Range | 800 nm | - | 1700 nm |