
درایور دیود لیزر با بیشینه جریان 500 میلیآمپر
معرفی
دیود لیزر با طولموج مرکزی 520 نانومتر و توان خروجی 50 میلیوات با بستهبندی TO-18 (5.6mm) و دمای عملیاتی -20 ~ 60 درجهسانتیگراد که توسط یکی از دو تولید کننده بزرگ منبع نور الکتریکی در جهان یعنی شرکت OSRAM تولید شده دارای پهنای باند مدولاسیون بالا است. این شرکت دارای 49 پایگاه تولید در 18 کشور جهان است و محصولات آن به بیش از 140 کشور فروخته میشود. از دیگر مشخصات این دیود لیزر پهنای باند طیفی 1 نانومتر، جریان آستانه 30 میلیآمپر، جریان عملیاتی 115 میلیآمپر و ولتاژ کاری 6 ولت است. از جمله کاربردهای این دیود میتوان به نورپردازی، اندازهگیری، تحلیل طیف، ارتباطات و ... اشاره کرد.
مشخصات
![]() |
Technical Information Laser Diode 520nm 50mW |
|||
---|---|---|---|
Parameter | Min | Typ. | Max |
Central Wavelength | 510 nm | 520 nm | 530 nm |
Operating Temperature | −20 °C | - | 60 °C |
Storage Temperature | −40 °C | - | 85 °C |
Beam Divergence Angle - (Parallel) | 6 ° | 8 ° | 10 ° |
Beam Divergence Angle - (Perpendicular) | 19 ° | 22 ° | 25 ° |
Maximum (LD) Reverse Voltage | - | - | 2 V |
Operating Current | - | 115 mA | 140 mA |
Operating Voltage | - | 6 V | 6٫9 V |
Package | TO-18 (5.6mm) | ||
Peak Output Power | - | 50 mW | - |
Soldering Temperature | - | - | 260 °C |
Spectral Bandwidth(FWHM) | - | 1 nm | - |
Threshold Current | - | 30 mA | 65 mA |