zoom_out_map
chevron_left chevron_right

حسگر نیمه‌هادی فوق سریع کمتر از ۱ نانوثانیه با فوتودیود InGaAs

  PD-110

حسگر نیمه‌هادی فوق سریع کمتر از ۱ نانوثانیه با فوتودیود InGaAs مناسب محدوده طول‌موجی 1700-960 نانومتر با پاسخ‌گویی بسیار سریع


160,000,000 ریال (No tax) 0,0,000‎ریال (No tax)
اتمام موجودی

معرفی

حسگر فوق سریع مدل PD-110 قابلیت عملکرد در محدوده فروسرخ نزدیک را دارد و با پاسخ‌گویی بسیار سریع، طیف گسترده‌ای از پرتوهای نوری فوق سریع را آشکار می‌سازد. پهنای طیفی گسترده و پاسخ‌گویی خطی در کنار خروجی مناسب، از مزیت‌های مهم این حسگر به‌شمار می‌آیند. خروجی این حسگر نیازمند هیچ راه‌انداز یا تقویت‌کننده خاصی نبوده و مستقیماً در سیستم‌های Trigger یا همزمان‌ساز و اسیلوسکوپ قابل استفاده می‌باشد و برای اندازه‌گیری پهنای پالس در لیزرهای سریع طراحی شده است.

از جمله ویژگی‌های این محصول می‌توان به اتصال مستقیم به اسیلوسکوپ بوسیله کابل مخصوص، امکان تنظیم سفارشی حسگر جهت اندازه‌گیری لیزرهای پالسی با سرعت‌های مختلف، امکان تنظیم دستگاه در بازه طول‌موج 960~1700 نانومتر، اندازه‌گیری پهنای پالس منابع نوری پالسی، اندازه‌گیری قطار پالس منابع نوری پالسی، عدم نیاز به امپدانس خارجی و قابلیت سفارش با ولتاژ بایاس متناسب با نیاز مشتری اشاره کرد.

مشخصات فنی محصول به صورت جزئی در قسمت دیتاشیت محصول بارگذاری شده است.

مشخصات

  • ابعاد : 35 x 35 x 30.5 mm³
  • وزن حسگر : <200 gr
  • نوع اتصال خروجی : BNC
  • جریان تاریک فوتودیود : <4 nA
  • نوع حسگر : InGaAs
  • ولتاژ بایاس : <10 V
  • محدوده‌ی طیفی : - 960 nm 1700 nm
  • زمان خیز : 0.5 ns
  • زمان افت : 0.5 ns

برگه اطلاعات فنی  

Technical Information  Ultra Fast Detector With InGaAs Photodiode Less Than 1 ns

Parameter Min Typ. Max
Bias Voltage <10 V
Data Output BNC
Fall Time 0.5 ns
Photodiode Dark Current <4 nA
Rise Time 0.5 ns
Sensor Type InGaAs
Sensore Weight <200 gr
Spectral Range 960 nm - 1700 nm
Size 35 x 35 x 30.5 mm³

ویرایش نظر
  یا لغو