خانه
حسگر نیمههادی فوق سریع کمتر از ۵ نانوثانیه با فوتودیود سیلیکونی
حسگر نیمههادی فوق سریع کمتر از ۵ نانوثانیه با فوتودیود سیلیکونی مناسب محدوده طولموجی 1050-400 نانومتر با پاسخگویی بسیار سریع
معرفی
حسگر فوق سریع مدل PD-103 قابلیت عملکرد در محدوده مرئی و فروسرخ نزدیک را دارد و با پاسخگویی بسیار سریع، طیف گستردهای از پرتوهای نوری فوق سریع را آشکار میسازد. پهنای طیفی گسترده و پاسخگویی خطی در کنار خروجی مناسب، از مزیتهای مهم این حسگر بهشمار میآیند. خروجی این حسگر نیازمند هیچ راهانداز یا تقویتکننده خاصی نبوده و مستقیماً در سیستمهای Trigger یا همزمانساز و اسیلوسکوپ قابل استفاده میباشد و برای اندازهگیری پهنای پالس در لیزرهای سریع طراحی شده است.
از جمله ویژگیهای این محصول میتوان به اتصال مستقیم به اسیلوسکوپ بوسیله کابل مخصوص، امکان تنظیم سفارشی حسگر جهت اندازهگیری لیزرهای پالسی با سرعتهای مختلف، امکان تنظیم دستگاه در بازه طولموج 400~1050 نانومتر، اندازهگیری پهنای پالس منابع نوری پالسی، اندازهگیری قطار پالس منابع نوری پالسی، عدم نیاز به امپدانس خارجی و قابلیت سفارش با ولتاژ بایاس متناسب با نیاز مشتری اشاره کرد.
مشخصات فنی محصول به صورت جزئی در قسمت دیتاشیت محصول بارگذاری شده است.
مشخصات
- محدودهی طیفی : - 400 nm 1050 nm
- نوع حسگر : فوتودیود سیلیکونی
- نوع اتصال خروجی : BNC
- وزن حسگر : <200 gr
- ابعاد : 35 x 35 x 30.5 mm³
- جریان تاریک فوتودیود : <80 pA
- ولتاژ بایاس : <15 V
- زمان خیز : 1.8 ns
- زمان افت : 1.8 ns
|
Technical Information Ultra Fast Detector With Si Photodiode Less Than 5 ns |
|||
|---|---|---|---|
| Parameter | Min | Typ. | Max |
| Bias Voltage | <15 V | ||
| Data Output | BNC | ||
| Fall Time | 1.8 ns | ||
| Photodiode Dark Current | <80 pA | ||
| Rise Time | 1.8 ns | ||
| Sensor Type | فوتودیود سیلیکونی | ||
| Sensore Weight | <200 gr | ||
| Spectral Range | 400 nm | - | 1050 nm |
| Size | 35 x 35 x 30.5 mm³ | ||