خانه
chevron_left
chevron_right
PIN فوتودیود InGaAs با قطر سطح حساس 0.3mm
LSIPD-UL0.3-B-03
PIN فوتودیود InGaAs مناسب محدوده طیفی 1700-800 نانومتر با قطر سطح حساس 0.3mm و دارای جریان تاریک 20 پیکوآمپر
معرفی
فوتودیودهای InGaAs نوعی فوتودیود نیمههادی هستند که از ماده مرکب ایندیوم گالیم آرسناید (InₓGa₁₋ₓAs) ساخته میشوند. این ماده ترکیبی برای تشخیص نور در محدوده نزدیک مادونقرمز (NIR) بسیار مناسب است و پاسخدهی بالاتری نسبت به سیلیکون در طولموجهای بلندتر ارائه میدهد. PIN فوتودیود InGaAs با زمان پاسخدهی 0.8 نانوثانیه، مناسب محدوده طیفی 1700-800 نانومتر بوده و دارای قطر سطح حساس 0.3mm است. همچنین این فوتودیود دارای جریان تاریک 20 پیکوآمپر در ولتاژ شکست 5 ولت است.
مشخصات
- جریان تاریک : @5 V 20 pA
- پکیج : TO-46
- زمان پاسخدهی : 0.8 ns
- محدودهی طیفی : - 800 nm 1700 nm
|
Technical Information 0.3mm InGaAs PIN Photodiode |
|||
|---|---|---|---|
| Parameter | Min | Typ. | Max |
| Operating Temperature | −40 °C | - | 85 °C |
| Storage Temperature | −40 °C | - | 100 °C |
| Dark Current | @5 V 20 pA | ||
| Maximum (LD) Reverse Voltage | - | - | 10 V |
| Package | TO-46 | ||
| Response Time | 0.8 ns | ||
| Soldering Temperature | - | 260 °C | - |
| Spectral Range | 800 nm | - | 1700 nm |