zoom_out_map
chevron_left chevron_right

دیود لیزر 520 نانومتر 800 میلی‌وات

  GH05C01A9G

دیود لیزر 520 نانومتر 800 میلی‌وات ساخت شرکت SHARP با جریان عملیاتی 1.05 آمپر و ولتاژ کاری 5.7 ولت.


71٬300٬000 ریال (No tax) 0,0,000‎ریال (No tax)
اتمام موجودی

معرفی

دیود لیزر 520 نانومتر 800 میلی‌وات با بسته‌بندی TO-5 (9mm) و دمای عملیاتی 0 ~ 60 درجه‌سانتی‌گراد که توسط شرکت SHARP تولید شده دارای پهنای باند مدولاسیون بالا، قابلیت اطمینان بالا و عمر طولانی است. از جمله کاربردهای این دیود می‌توان به بینایی ماشین، اسکنر سه بعدی ، اندازه‌گیری و ... اشاره کرد.

مشخصات

  • جریان آستانه : 0٫18 A
  • ولتاژ کاری : - -5٫7 V-6٫6 V
  • طول موج مرکزی : 520 nm
  • پکیج : TO-5 (9mm)

برگه اطلاعات فنی  

Technical Information  Laser Diode 520nm 800mW

Parameter Min Typ. Max
Central Wavelength 510 nm 520 nm 530 nm
Operating Temperature 0 °C - 60 °C
Storage Temperature ‎−40 C° - 85 °C
Beam Divergence Angle - (Parallel) - 9 ° -
Beam Divergence Angle - (Perpendicular) - 44 ° -
Differential Efficiency 0٫45 W/A 0٫7 W/A -
Maximum (LD) Reverse Voltage - 2 V -
Operating Current - 1٫05 A 1٫39 A
Operating Voltage - 5٫7 V 6٫6 V
Package TO-5 (9mm)
Soldering Temperature - 350 °C -
Threshold Current - 0٫18 A 0٫3 A

ویرایش نظر
  یا لغو