خانه
chevron_left
chevron_right
PIN فوتودیود InGaAs با قطر سطح حساس 1mm
LSIPD-L1-B-03
PIN فوتودیود InGaAs مناسب محدوده طیفی 1700-800 نانومتر با قطر سطح حساس 1mm و دارای جریان تاریک 1 نانوآمپر
معرفی
فوتودیودهای InGaAs نوعی فوتودیود نیمههادی هستند که از ماده مرکب ایندیوم گالیم آرسناید (InₓGa₁₋ₓAs) ساخته میشوند. این ماده ترکیبی برای تشخیص نور در محدوده نزدیک مادونقرمز (NIR) بسیار مناسب است و پاسخدهی بالاتری نسبت به سیلیکون در طولموجهای بلندتر ارائه میدهد. PIN فوتودیود InGaAs با زمان پاسخدهی 10 نانوثانیه، مناسب محدوده طیفی 1700-800 نانومتر بوده و دارای قطر سطح حساس 1mm است. همچنین این فوتودیود دارای جریان تاریک 1 نانوآمپر در ولتاژ شکست 5 ولت است.
مشخصات
- جریان تاریک : @5 V 1 nA
- پکیج : TO-46
- زمان پاسخدهی : 10 ns
- محدودهی طیفی : - 800 nm 1700 nm
|
Technical Information 1mm InGaAs PIN Photodiode |
|||
|---|---|---|---|
| Parameter | Min | Typ. | Max |
| Operating Temperature | −40 °C | - | 85 °C |
| Storage Temperature | −40 °C | - | 100 °C |
| Dark Current | @5 V 1 nA | ||
| Maximum (LD) Reverse Voltage | - | - | 10 V |
| Package | TO-46 | ||
| Response Time | 10 ns | ||
| Soldering Temperature | - | 260 °C | - |
| Spectral Range | 800 nm | - | 1700 nm |