خانه
آینه دی‌الکتریک لیزری 532nm
آینه دی‌الکتریک لیزری با آستانه تخریب بالا برای هدایت لیزرهای با طول‌موج 532 نانومتر
معرفی
آینه‌های دی‌الکتریک لیزری با آستانه تخریب بالا با هدف هدایت پرتوهای لیزری طراحی می‌شوند. این آینه‌ها تنها می‌توانند طول‌موج خاصی را بازتاب دهند و از این رو برای استفاده در محدوده وسیعی از طول‌موج‌ها کاربرد ندارند. این آینه‌ها به‌دلیل بازتاب بیشتر از 99 درصد برای هدایت پرتوهای لیزر بسیار مفید هستند زیرا میزان اتلاف را کاهش می‌دهند. آینه دی‌الکتریک طراحی شده برای طول‌موج 532 نانومتر دارای بازتاب بیش از 99.5 درصد است که آن را برای هدایت هارمونیک دوم لیزر Nd:YAG مناسب می‌سازد. درصد بازتاب اعلام شده برای زمانی است که زاویه فرود پرتوی تابشی 45 درجه باشد. چگالی انرژی آستانه تخریب این آینه با لیزر پالسی 1064 نانومتر و پهنای پالس 20 نانوثانیه اندازه‌گیری شده است که 10 ژول بر سانتی‌متر مربع است.
مشخصات
- قطر : 25٫4 mm
- زاویه تابش : 45 Degrees
- سطح موثر : 90 %
- صافی سطح : λ/ 10 ,@632٫8 nm
- آستانه تخریب : 10 J/cm^2 20 ns 20 Hz 1064 nm
- ضخامت : 6٫3 mm
- بازتاب : 99٫5 %
- Coating : Front Side:high-reflective coating , Back Side:finely ground or inspected and polished
Technical Information High Damage Threshold Laser Wavelength Dielectric Mirror |
|||
|---|---|---|---|
| Parameter | Min | Typ. | Max |
| Angle of Incidence (AOI) | 45 Degrees | ||
| Clear Aperture | 90 % | ||
| Diameter | 25٫4 mm | ||
| Reflection | 99٫5 % | ||
| Surface Flatness | λ/ 10 , @632٫8 nm | ||
| Surface Quality | 40/20 | ||
| Thickness | 6٫3 mm | ||
| Thickness Tolerance | ±0٫2 mm | ||
| Feature | Description | ||
| Coating | ;Front Side:high-reflective coating , Back Side:finely ground or inspected and polished | ||
| Damage Threshold | >10 J/cm^2 , 20 ns , 20 Hz , @1064 nm | ||